Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Реферативна база даних (34)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Індутний І$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 17 Представлено документи з 1 до 17
1.	Данько В. А. Технологія виробництва голограмних дифракційних граток на основі неорганічних вакуумних фоторезисторів [Електронний ресурс] / В. А. Данько, І. З. Індутний, М. В. Луканюк, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий // Наука та інновації. - 2014. - Т. 10, № 5. - С. 24-33. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/scinn_2014_10_5_4 An innovative project on development of the technological method for holographic diffraction gratings production which allows to produce high-quality diffractive elements with spatial frequencies from 600 to 3600 mm<^>-1 for spectral instruments have been carried out. The technological instructions for the implementation of this method have been developed and experimental samples are produced. It was established that the characteristics of experimental samples of the holographic diffraction gratings produced under this project meet the specifications and the state standard 3-6128-86. Попередній перегляд: Завантажити - 276.473 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
2.	Вакарюк Т. Є. Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу [Електронний ресурс] / Т. Є. Вакарюк, Ю. С. Громовой, В. А. Данько, Г. В. Дорожинський, С. А. Зиньо, І. З. Індутний, А. В. Самойлов, Ю. В. Ушенін, Р. В. Христосенко, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2013. - Вып. 48. - С. 89-95. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2013_48_9 Попередній перегляд: Завантажити - 431.371 Kb Зміст випуску Цитування
3.	Бабійчук І. В. Фотостимульовані реверсивні перетворення у плівках Ge-Se як основа резистивного процесу [Електронний ресурс] / І. В. Бабійчук, В. А. Данько, І. З. Індутний, М. В. Луканюк, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2014. - Вып. 49. - С. 36-41. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2014_49_6 Досліджено закономірності резистивного процесу на відпалених шарах стекол розрізу Ge-Se та вивчено можливості створення за його допомогою складних рельєфно-фазових структур чи літографічних масок. Показано, що даний резистивний процес безпосередньо пов'язаний із реверсивними фотоструктурними змінами, які спостерігаються в даних стеклах, що, в свою чергу, дозволяє стирати повторним відпалом інформацію, записану фотоекспонуванням цих плівок, а також повторювати цикли відпал-експонування без значних змін характеристик отримуваних структур. Попередній перегляд: Завантажити - 746.321 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
4.	Данько В. А. Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF [Електронний ресурс] / В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 83-89. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2010_45_10 Попередній перегляд: Завантажити - 449.273 Kb Зміст випуску Цитування
5.	Індутний І. З. Формування фотонних наноструктур за допомогою інтерференційної літографії та осадження у вакуумі під ковзним кутом [Електронний ресурс] / І. З. Індутний, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, М. В. Сопінський, В. М. Ткач, В. А. Данько // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 49-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_7 Досліджено процес формування фотонних структур на поверхні мікропрофільованих кремнієвих підкладок. Формування рельєфної структури на кремнієвій пластині у вигляді матриці виступів субмікронних розмірів здійснювали за допомогою інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фоторезистів та селективного рідинного травлення. Для вирощування матриці SiOx-колон субмікронних розмірів на виступах мікропрофільованої підкладки використовувалось термічне осадження монооксиду кремнію у вакуумі під ковзним кутом. Геометричні параметри одержаних структур вивчено за допомогою високороздільного електронного та атомно-силового мікроскопів. Для характеризації одержаних структур проведено дослідження їх дифракційних та поляризаційних характеристик. Одержані кутові залежності дифракційної ефективності та ефективності конверсії поляризації демонструють анізотропні оптичні властивості двовимірних матриць SiOx-колон, що свідчить про можливість застосування таких структур як тонкоплівкових оптичних елементів. Попередній перегляд: Завантажити - 1.36 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
6.	Данько В. А. Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As2S3/SiOx [Електронний ресурс] / В. А. Данько, І. З. Індутний, О. Ф. Коломис, В. В. Стрельчук, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2011. - Вып. 46. - С. 103-110. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2011_46_15 З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) - <$E DELTA E sub g> - наночастинок As2S3 у матриці SiO1,5. Під час формування нанокомпозитів As2S3/SiO1,5 фази халькогеніду розділяються на кластери, збагачені миш'яком або сіркою. Унаслідок експонування нанокомпозитів As2S3/SiO1,5 відбувається зменшення концентрації S - S- та збільшення концентрації As - As-зв'язків, що є можливою причиною фотопотемніння. Спостерігалось значне збільшення <$E DELTA E sub g> (до 4-кратного) у разі зменшення розмірів частинок халькогеніду в нанокомпозитних As2S3/SiO1,5 шарах у порівнянні з суцільними As2S3 плівками. Ефект збільшення <$E DELTA E sub g> у нанокомпозитах пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв у наночастинках As2S3, які знаходяться в діелектричній матриці. Попередній перегляд: Завантажити - 191.846 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
7.	Литовченко В. Г. Фотолюмінесценція поруватих nc-Si/SiOx структур, імплантованих іонами вуглецю [Електронний ресурс] / В. Г. Литовченко, В. П. Мельник, В. Г. Попов, Г. В. Федулов, В. А. Данько, І. З. Індутний, К. В. Михайловська, П. Є. Шепелявий // Фізика і хімія твердого тіла. - 2014. - Т. 15, № 1. - С. 107-111. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2014_15_1_18 Попередній перегляд: Завантажити - 135.002 Kb Зміст випуску Цитування
8.	Індутний І. З. Наноструктуровані Au чіпи з підвищеною чутливістю для сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу [Електронний ресурс] / І. З. Індутний, Ю. В. Ушенін, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, М. В. Луканюк, А. А. Корчовий, Р. В. Христосенко // Український фізичний журнал. - 2017. - Т. 62, № 5. - С. 365-371. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2017_62_5_3 Проведені дослідження підвищення чутливості поверхневого плазмонного резонансу рефрактометра за рахунок формування періодичного рельєфу у вигляді гратки з субмікронним періодом на поверхні Au чіпа. Періодичний рельєф різної глибини з просторовою частотою v = (3370 +- 5) лін./мм було сформовано на поверхні плівки Au за допомогою інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фоторезистів. Встановлено, що кратність підвищення чутливості рефрактометра та величина інтервалу зміни показника заломлення <$E DELTA n> середовища, в якому спостерігається це підвищення, залежить від глибини рельєфу гратки. При збільшенні глибини рельєфу ширина робочого інтервалу <$E DELTA n> зменшується, а чутливість збільшується від 110 град./RIU для стандартного чіпа, до 154 град./RIU та 363 град./RIU для структурованих чіпів з глибиною рельєфу, що дорівнює 11,7 +- 2 нм та 18,5 +- 2 нм відповідно. Попередній перегляд: Завантажити - 760.126 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
9.	Кадан В. М. Вплив пасткових станів на кінетику люмінесценції та наведеного поглинання світла наночастинками Si в SiO2 матриці при збудженні фемтосекундними лазерними імпульсами [Електронний ресурс] / В. М. Кадан, І. З. Індутний, В. А. Данько, П. Є. Шепелявий, І. М. Дмитрук, П. І. Коренюк, І. В. Блонський // Український фізичний журнал. - 2013. - Т. 58, № 1. - С. 20-25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2013_58_1_5 Розглянуто нелінійності люкс-інтенсивнісної характеристики власної смуги випромінювання наночастинок Si, інкорпорованих в SiO2 матрицю, і залежність часових параметрів наведеного поглинання від густини енергії збуджуючого фемтосекундного імпульсу, які зумовлені дією пасткових станів. Попередній перегляд: Завантажити - 214.687 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
10.	Данько В. А. Розробка технології виготовлення сенсор них чипів з підвищеною чутливістю та покращеними фізико-механічними характеристиками для оптич них сен сорів на основі поверхневого плазмонного резонансу [Електронний ресурс] / В. А. Данько, І. З. Індутний, Ю. В. Ушенін, П. М. Литвин, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, М. В. Луканюк, А. А. Корчовий, Р. В. Христосенко // Наука та інновації. - 2017. - Т. 13, № 6. - С. 25-35. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/scinn_2017_13_6_4 Попередній перегляд: Завантажити - 235.878 Kb Зміст випуску Цитування
11.	Данько В. А. Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд) [Електронний ресурс] / В. А. Данько, І. З. Індутний, М. В. Луканюк, В. І. Минько, С. С. Пономарьов, П. Є. Шепелявий, В. О. Юхимчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2015. - Вып. 50. - С. 44-57. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2015_50_5 Описано розроблені фотолітографічні процеси на базі реверсивних і перехідних фотоструктурних змін у відпалених плівках халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН). Показано, що негативні протравлювачі на основі амінів розчиняють експоновані ділянки відпалених халькогенідних плівок, тобто діють як позитивні протравлювачі. Висвітлено переваги нових процесів над традиційними. Наведено приклади різноманітних мікрорельєфних структур, виготовлених з використанням нових технологій, та можливості їх застосування. Розглянуто фізичні механізми фотостимульованих структурних перетворень, що призводять до зміни розчинності плівок ХСН у селективних протравлювачах. Попередній перегляд: Завантажити - 759.902 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
12.	Данько В. А. Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів [Електронний ресурс] / В. А. Данько, М. Л. Дмитрук, І. З. Індутний, С. В. Мамикін, В. І. Минько, П. М. Литвин, М. В. Луканюк, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2015. - Вып. 50. - С. 109-116. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2015_50_12 Наведено можливості використання інтерференційної літографії з фоторезистами на основі халькогенідних скловидних напівпровідників у комплексі з термічною обробкою для формування однорідних плазмонних структур з необхідними характеристиками на підкладках великої площі. У результаті досліджень було підтверджено наявність поверхневих плазмон-поляритонних і локальних поверхневих плазмонних резонансів на виготовлених зразках, які можуть контролюватися в широких межах шляхом вибору геометричних параметрів структур і технологічними режимами їх виготовлення. Попередній перегляд: Завантажити - 1.338 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
13.	Михайловська К. В. Особливості фотолюмінесценції наночастинок кремнію у багатошарових (SіOх–SіOy)n структурах з поруватими ізолюючими шарами [Електронний ресурс] / К. В. Михайловська, В. А. Данько, О. Й. Гудименко, В. П. Кладько, І. З. Індутний, П. Є. Шепелявий, М. В. Сопінський // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2018. - Вып. 53. - С. 169-180. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2018_53_11 Досліджено спектральні характеристики фотолюмінесценції (ФЛ) світловипромінюючих багатошарових (nc-Si-SiOx-SiOy)n структур, сформованих на c-Si пластинах за допомогою термічного осадження у вакуумі 30 - 40 пар cуцільних SiOx наношарів і проміжних поруватих SiOy наношарів (<$E x~<<~y~symbol Г~2>) та наступного високотемпературного відпалу і пасивування у парі HF. Встановлено, що положення максимуму та інтенсивність ФЛ таких надграток залежать від двох факторів: товщини робочих шарів і часу пасивації у парі фтористоводневої кислоти. Це надає можливість керувати спектральним складом і інтенсивністю випромінювання, змінюючи як товщину вихідних шарів надгратки, так і час пасивації наноструктури. Останнє досягається за рахунок використання в структурі надгратки в ролі розділяючих шарів поруватих плівок SiOy, крізь які можливе проникнення пари HF до активних SiOx шарів, в яких після високотемпературного відпалу формуються наночастинки кремнію. Проведено дослідження кінетики згасання ФЛ в багатошарових (nc-Si-SiOx-SiOy)n зразках і встановлено, що вона має немоноекспоненційний характер. Виміряна залежність швидкості випромінювальної рекомбінації від енергії випромінювальних квантів. Одержані значення середнього часу життя ФЛ і параметра його дисперсності в зразках надгратки з різними товщинами бішарів. Встановлено залежність цих параметрів від часу фторводневої обробки зразків (nc-Si-SiOx-SiOy)n структури. За допомогою еліпсометричних досліджень було встановлено, що в багатошарових (nc-Si-SiOx-SiOy)n надгратках проявляється ефект конверсії поляризації, що обумовлено наявністю нахилених колон в скісно осаджених проміжних поруватих SiOy наношарах. Попередній перегляд: Завантажити - 345.752 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
14.	Данько В. А. Дослідження чутливості сенсорних Au чипів з наноструктурованою поверхнею [Електронний ресурс] / В. А. Данько, І. З. Індутний, Ю. В. Ушенін, В. І. Минько, Д. Хегеманн, М. Ванденбоше, П. Є. Шепелявий, М. В. Луканюк, П. М. Литвин, Р. В. Христосенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2017. - Вып. 52. - С. 91-99. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2017_52_8 Наведено результати дослідження чутливості ППР біосенсора з наноструктурованими Au чипами. Періодичний рельєф у вигляді граток з субмікронною просторовою частотою було сформовано на поверхні Au чипа за допомогою інтерференційної літографії з використанням вакуумних халькогенідних фоторезистів. Просторову частоту граток було вибрано з умови близькості до бреггівського відбиття поверхневих плазмон-поляритонів для заданої робочої довжини хвилі сенсора (850 нм) та показника заломлення досліджуваного середовища (розчин гліцерину у воді). Функціоналізація робочої поверхні чипа здійснювалась за допомогою плазмово-стимульованого осадження полімерних а-C:H:O плівок з ефективною товщиною 5 та 10 нм. Установлено, що кратність підвищення (від 2 до 4) чутливості біосенсора внаслідок формування гратки та ширина робочого інтервалу показника заломлення (n) середовища визначаються глибиною рельєфу гратки і не залежать від товщини функціонального полімерного наношару. Така функціоналізація лише викликає зсув положення робочого інтервалу до менших значень n у порівнянні з вихідними чипами. Положення робочого діапазону наноструктурованого сенсорного чипа може бути узгоджено з величиною показника заломлення досліджуваного середовища шляхом азимутального повороту чипа. Попередній перегляд: Завантажити - 1.326 Mb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
15.	Михайловська К. В. Вплив періодичного рельєфу кремнієвої підкладки на поляризацію фотолюмінесценції nc-Si–SiOx наноструктур [Електронний ресурс] / К. В. Михайловська, В. І. Минько, І. З. Індутний, П. Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2017. - Вып. 52. - С. 100-107. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2017_52_9 Досліджено спектральні та поляризаційні характеристики фотолюмінесценції (ФЛ) поруватих світловипромінювальних nc-Si - SiO_x наноструктур, сформованих на c-Si пластинах з рельєфною поверхнею у вигляді дифракційних граток з формою профілю штрихів, близькою до трапеції та трикутника. Формування гратки на поверхні кремнієвої підкладки проводилося з використанням інтерференційної літографії на основі вакуумного халькогенідного фоторезисту та анізотропного рідинного травлення. Досліджені nc-Si - SiO_x структури було одержано шляхом термічного осадження під кутом монооксиду Si у вакуумі та наступного високотемпературного відпалу. Встановлено, що вихід ФЛ із структури nc-Si - SiO_x на рельєфній підкладці головним чином залежить від того, як це випромінювання поляризовано відносно напрямку штрихів гратки, і набагато менше залежить від напрямку поляризації збуджуючого світла. Виміряні спектри відбиття структури nc-Si - SiO_x на рельєфній підкладці підтвердили вплив гратки на вихід поляризованого випромінювання. Попередній перегляд: Завантажити - 348.328 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
16.	Данько В. А. Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол [Електронний ресурс] / В. А. Данько, І. З. Індутний, В. І. Минько, П. Є. Шепелявий, О. С. Литвин, М. В. Луканюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2012. - Вып. 47. - С. 51-58. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2012_47_6 Виявлено ефект фотостимульованого підвищення розчинності відпалених плівок халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН) в селективних протравлювачах на основі амінів. Встановлено, що швидкість травлення підвищується при збільшенні інтенсивності опромінення, а її спектральна залежність корелює з поглинанням у плівці ХСН в області краю міжзонних переходів. Показано, що новий фотостимульований ефект дає змогу реалізувати фотолітографічний процес (у тому числі процес інтерференційної фотолітографії) на шарах ХСН, відпалених за температури, близької до температури розм'якшення халькогенідного скла, шляхом одночасного експонування та селективного протравлювання таких шарів. Обговорюється можливий механізм фототравлення ХСН. Попередній перегляд: Завантажити - 442.122 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
17.	Індутний І. З. Дослідження ефективності збудження поверхневих плазмон-поляритонів на алюмінієвих гратках з урахуванням дифрагованого випромінювання [Електронний ресурс] / І. З. Індутний, В. І. Минько, М. В. Сопінський, В. А. Данько, П. М. Литвин // Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка. - 2021. - Вип. 56. - С. 71-82. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2021_56_8 Проведені детальні дослідження ефективності збудження поверхневих плазмон-поляритонів (ППП) на алюмінієвих гратках з періодом а = 694 нм, що перевищує довжину падаючої хвилі <$E lambda> = 632,8 нм, і глибиною рельєфу (h) в інтервалі від 6 до 135 нм. Зразки для досліджень формувалися на плівках халькогенідного фоторезисту As40S30Se30 за допомогою інтерференційної літографії та термічного напилення у вакуумі непрозорого шару алюмінію товщиною біля 80 нм. Дослідження особливостей збудження ППП проводилось на стенді, змонтованому на основі гоніометра Г5М та столика Федорова шляхом вимірювання кутових залежностей інтенсивності дзеркально відбитого і дифрагованого випромінювання He-Ne лазера. При визначенні ефективності збудження ППП було враховано резонансні значення не лише дзеркального відбивання, а і відбивання в мінус першому порядку дифракції (-1ПД). Для визначення форми профілю штрихів і глибини рельєфу гратки використовувався атомно-силовий мікроскоп. Встановлено, що залежність інтегрального плазмонного поглинання від глибини модуляції гратки (h/a) описується дещо асиметричною кривою з широким максимумом, положення якого відповідає значенню h/a близько 0,07, та напівшириною біля 0,123. Це дозволяє збуджувати ППП з ефективністю >> 80 % від максимального значення на гратках з інтервалу h/a від 0,05 до 0,105. Напівширина плазмонного мінімуму відбивання в -1ПД є меншою, ніж в дзеркальному відбиванні, що може забезпечити більшу чутливість сенсорних приладів при реєстрації зміщення мінімуму за кутовими вимірами. Залежність напівширини мінімумів відбивання ППП від глибини модуляції граток близька до квадратичної. В дослідженому діапазоні h/a (від 0,009 до 0,194) максимальний динамічний діапазон зміни коефіцієнта відбиття складає два порядки величини і досягається при дзеркальному відбиванні для граток з h/a = 0,075. Попередній перегляд: Завантажити - 472.116 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського